单晶硅片参数

生长方法

直拉CZ

直径与公差 (mm)

150.0 ± 0.2

型号/掺杂剂

P型/硼
N型/磷、砷、锑

晶向

<100> / <111>

电阻率 (Ω.cm)

0.003-50

径向电阻率变化 (%)

P< 6
N型< 25

氧含量与公差

5.0-7.8 × ± 0.5

径向氧含量变化 (%)

< 5

碳含量 (at)

≤ 2.0×

金属铁含量 (at)

≤1.0×

表面金属 (at)

铜 / 铬 / 铁 / 镍≤ 5.0×
铝 / 锌 / 钾 / 钠 / 钙≤ 2.0×

厚度 (微米)

按SEMI标准或用户要求

厚度公差 (微米)

±15或用户要求

总厚度变化 TTV (微米)

< 2.5

平整度 TIR (微米)

< 1.2

局部平整度 STIRmax (微米)

< 0.3

翘曲度 (微米)

< 30

颗粒 (# per wafer)

< 30 (for size > 0.2微米)

产品编号

产品名称

尺寸

规格

1

111N型4英寸硅片单抛

4英寸

N型111，单抛

2

100P型3英寸硅片单抛

3英寸

P型100，单抛

3

111P型4英寸硅片单抛

4英寸

P型111，单抛

4

100N型3英寸硅片单抛

3英寸

N型100，单抛

5

100P型4英寸硅片单抛

4英寸

P型100，单抛

6

100N型4英寸硅片单抛

4英寸

N型100，单抛

7

111P型2英寸硅片单抛

2英寸

P型111，单抛

8

111N型3英寸硅片单抛

3英寸

N型111，单抛

9

100P型2英寸硅片单抛

2英寸

P型100，单抛

10

100N型2英寸硅片单抛

2英寸

N型100，单抛

11

111P型3英寸硅片单抛

3英寸

P型111，单抛

12

111N型2英寸硅片单抛

2英寸

N型111，单抛